一種用于晶圓處理反應器例如化學氣相沉積反應器(10)的原位溫度測量的方法,優選地包括下列步驟,加熱所述反應器直到所述反應器達到晶圓處理溫度,并且在所述反應器內繞旋轉軸(42)旋轉晶圓支撐元件(40)。所述方法優選地進一步包括,當所述晶圓支撐元件(40)繞所述旋轉軸(42)轉動時,利用第一工作高溫計(71)接收來自于所述晶圓支撐元件的第一部分的輻射,獲得第一工作溫度測量值,并且利用晶圓溫度測量器件(80)接收來自至少一個晶圓(46)的輻射,獲得第一晶圓溫度測量值,所述晶圓溫度測量器件位于第一工作位置(A)。
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“GaN基材料的溫度控制” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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