本發明公開了一種在化學氣相沉積反應器或者外延層生長反應器內調節基片表面溫度的控溫系統,所述控溫系統包括至少兩個加熱部件,每個加熱部件至少連接一個加熱電源輸出;將預先測得的反應器內的基片表面溫度和其他影響溫度的參數以及為了實現基片表面溫度均勻,加熱電源輸出的溫度調節參數儲存在一控制器內,在反應器實際工作時,通過溫度測量裝置、氣體流速測量裝置、壓力測量裝置以及轉速控制裝置測量反應器內部相應的工藝參數,將測得的工藝參數輸入所述控制器內,與預先儲存在控制器內的工藝條件參數進行比對,找到相同或最相似的工藝條件下對應的加熱電源輸出的溫度調節參數,從而控制對應加熱部件的溫度,實現基片表面溫度的均勻分布。
聲明:
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