本發明公開了一種MoS2上低維AlN材料制備方法及應用,應用在光電探測器領域,通過化學氣相沉積法在二氧化硅層制備不同厚度的二維MoS2材料層在電子束蒸發中,制備不同厚度的Al層正度,采用等離子體化學氣相沉積法,制備不同厚度的低維ALN材料層生長,所述二維MoS2材料層及低維AlN材料層構成高肖特基勢壘,形成內建電場。本發明實現二維MoS2上低維AlN生長,構建了結型異質結,表現出自供電效應和很高的深紫外光響應度、快速響應能力。
聲明:
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