本發明公開了一種集成熱處理工藝的多腔室氮化物材料外延系統,屬于半導體技術領域。本發明能夠有效解決在氮化物材料生長時,利用異位熱處理系統進行退火工藝處理后,二次外延材料外延生長與高溫熱處理過程中產生的樣品污染而導致材料質量下降的問題。該系統包括金屬有機物化學氣相沉積設備、物理氣相沉積設備、高溫熱處理設備、互聯系統、源存儲系統、輸運系統、尾氣處理系統和監測與控制系統。本發明將熱退火工藝與金屬有機化學氣相沉積工藝集成在一起,為高溫熱處理工藝廣泛應用于氮化物材料生長,獲得高質量氮化物提供了一種有效方法。
聲明:
“集成熱處理工藝的多腔室氮化物材料外延系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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