本發明提供一種LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝,包括以下步驟:(1)選取外延片,清洗后進行P?SiO2層的沉積,再進行黃光P?SiO2制程,光刻出所需圖形;(2)通過浸泡BOE溶液化學濕法腐蝕SiO2,去除光刻膠,再進行酸洗、甩干;(3)進行Sputter?ITO濺鍍,然后進行黃光光刻所需圖形;(4)化學濕法蝕刻后,清洗完成后甩干,進行ICP刻蝕,去除光刻膠后清洗、甩干;(5)再進行RTA高溫退火熔合;(6)然后進行鈍化SiO2層的沉積、PN黃光光刻,金屬蒸鍍后去除光刻膠,再金屬熔合,最后完成點測。本發明將取消Sputter?ITO過腐蝕,在ITO膜濺鍍完成后先經過黃光光刻,再固定ITO的腐蝕時間,這樣就避免了由于ITO膜過腐蝕所造成的腐蝕過現象。
聲明:
“LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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