本發明涉及一種基于絕緣隔板優化的開關柜絕緣水平提升方法,其特點是:制作絕緣隔板樣片,測量樣片表面原子種類、含量和化學鍵占比,建立隔板分子結構模型并進行優化,計算隔板樣片分子的帶隙寬度及電子親和勢,在隔板分子最優結構模型中添加特定元素,再次優化分子結構模型,構建寬散射截面和高逸出勢壘的低二次電子發射系數表面結構,采用離子濺射、真空蒸鍍和化學刻蝕處理,進一步改性絕緣隔板。本發明設計合理,其通過合理修飾隔板表面狀態,可提升開關柜在高溫、高濕、凝露和污穢環境下的絕緣水平,為提高電力裝備絕緣水平和運行可靠性提供理論依據和實踐方法。
聲明:
“基于絕緣隔板優化的開關柜絕緣水平提升方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)