本發明具體涉及一種碳布原位生長中空三維Co9S8/Ni?Co?Mo羥基氧化物核殼電極材料的制備方法,中空Co9S8納米管有利于電解質滲透,并且硫化鈷具有高導電性,同時使材料的結構穩定性提高,外延生長Ni?Co?Mo羥基氧化物納米片具有較高的比電容,形成的中空三維網絡結構為電子和離子傳輸和滲透提供通道和更多活性位點,從而提高電化學性能,電化學性能測試結果表明,在電流密度為3 mA cm?1時,單電極比容量達到6.2 F·cm?2。
聲明:
“Co9S8/Ni-Co-Mo羥基氧化物中空核殼電極材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)