本發明公開了一種非線性光學增強氮化硅薄膜制備方法,該發明屬于薄膜非線性光學技術領域。該發明采用原子層薄膜沉積技術制備氮化硅薄膜,通過調控前驅物組份的化學計量比,實現氮化硅薄膜非線性光學增強的效果。具體是指將潔凈的襯底放置在鍍膜夾具后,利用原子層沉積方法獲得氮化硅薄膜,采用流量控制方式,實現硅氮元素化學計量比控制在1:10?10:1范圍內,膜層厚度范圍20?300nm。通過Z掃描的方法測試氮化硅薄膜的非線性光學特性。根據本發明的方法制備的氮化硅薄膜性能優異,能夠應用于吸收型光開關或吸收型光雙穩器件等領域。另外,本發明關于一種氮化硅薄膜非線性光學增強的制備方法操作簡單,制備周期短,成本低,效果顯著。
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