本發明屬于新材料技術制備領域,具體為Ti2AlC?MAX相薄膜的制備方法。本發明采用射頻磁控濺射的方式,濺射元素Ti和Al靶為固體復合靶,通過計算元素濺射率和測得的薄膜化學元素比調整固體靶的面積比,從而得到薄膜中理想的化學元素比;采用C的氫化物C2H2氣體作為C元素靶來提高C元素的活性,通過控制通入的氣體Ar氣和C2H2氣體的流量大小和比例,使薄膜中的最終元素比達到接近Ti2AlC的化學元素比。本發明通過改變基體溫度,沉積時間和濺射功率等參數,可較為精確的調整制備薄膜的厚度、晶粒尺寸,從而得到厚度和晶粒尺寸可控的純相高品質多晶薄膜。
聲明:
“Ti2AlC MAX相薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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