一種等離子體輔助硒硫化處理裝置,設置于真空室內,包括殼體、陰極板和陽極板,陰極板和陽極板交替疊放形成等離子體發生器,陰極板設有固定半導體薄膜基板的溝槽,陽極板表面均布小孔并設有輸氣管、獨立內加熱電極和陽極測溫點基于該處理裝置的工藝為:1)在半導體薄膜材料上按化學式配比預制金屬層,然后放入陰極板的溝槽中;2)將其置于真空室內抽真空,打開電源加熱陰極板和陽極板,啟動等離子體發生器電源,并通入硒或硫、氫、氬混合氣體。本發明的優點:硒原子的反應活性高,金屬預制層的硒化反應完全,光電轉換效率高;基片的加熱溫度低,不易變形;采用電子方式監控兩電極間容抗的變化,了解轉化的進展,減少工業化生產的廢品率。
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