本發明涉及光電探測技術領域,具體公開一種降低微結構硅材料上金半接觸電阻的方法及微結構硅材料。本發明的方法包括化學清洗、反應離子刻蝕處理、熱退火處理、化學清洗、電極制備以及金屬化熱處理等步驟。本發明的方法工藝復雜度低,中間過程較少,處理后的微結構硅材料表面較為光滑,同時覆蓋其表面的超飽和摻雜層未被去除,在不影響微結構硅材料對近紅外光吸收能力的同時,降低了其與金屬電極之間的接觸電阻,且令金屬電極能夠穩定的附著在其表面上,能夠進一步提高微結構硅光電探測器的近紅外光電響應。
聲明:
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