本發明涉及用于制造經外延涂覆的半導體晶片的方法,其中制備多個至少在其正面上拋光的半導體晶片,并且均依次單獨通過化學氣相沉積法在外延反應器內于800至1200℃的溫度下將外延層施加到其經拋光的正面上而通過以下步驟進行涂覆:分別將一片所制備的半導體晶片支撐在根據本發明的裝置上,從而使該半導體晶片位于該環上,該半導體晶片的背面朝向具有透氣性結構的基座的底部,但是不接觸該基座,從而通過氣體擴散使氣態物質從該半導體晶片的背面上方的區域透過該基座導入基座的背面上方的區域內,此外該半導體晶片僅在其背面的邊緣區域內與該環相接觸,其中在半導體晶片內完全不會產生利用光彈性應力測量法(“SIRD”)可測的應力。
聲明:
“外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)