本發明涉及一種釩酸銫紅外倍頻晶體材料及其制備與應用,該晶體材料的化學式為Cs2V4O11,屬于正交晶系,空間群為Pca21,晶胞參數為α=β=γ=90°,Z=2,與現有技術相比,本發明的釩酸銫材料具有較大的倍頻效應,在1064nm激光照射下,粉末倍頻強度約為KH2PO4(KDP)晶體的12倍;在2.10μm激光照射下測得粉末倍頻效應強度約為AgGaS2晶體的2.2倍。在波長1064nm的激光下測得激光損傷閾值為已商業化的紅外二階非線性光學晶體材料AgGaS2的24倍。此外,該晶體材料在可見光和紅外區有很寬的光學透過范圍,完全透過波段為0.33~14.80μm,在激光頻率轉換、光電調制、激光信號全息儲存等領域具有廣泛的應用前景。
聲明:
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