本發明公開了一種關鍵尺寸的控制方法,涉及半導體領域的光刻工藝。該控制方法包括:提供若干個控片,在控片表面形成模擬襯底;在控片模擬襯底上涂化學增幅光刻膠,進行曝光;進行顯影步驟;顯影后,對控片進行關鍵尺寸的測量,測定的尺寸為基準尺寸;將控片放置在生產晶圓的存放傳送相同的環境內,放置不同的存放時間;測量經過所述不同存放時間后控片的關鍵尺寸,制成關鍵尺寸和存放時間的對應關系曲線,該對應關系曲線位于基準尺寸和生產晶圓的最大合格尺寸之間部分對應的存放時間即是生產晶圓的安全存放時間。本發明的控制方法通過顯影后關鍵尺寸與存放時間的對應關系找出晶圓安全的存放時間,周期較短,提高了生產效率和保證良好產品成品率。
聲明:
“關鍵尺寸的控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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