本發明揭示了一種利用石墨烯薄膜作為GaN基LED、紫外光探測器的透明導電電極及其制法與應用,該石墨烯薄膜固化結合于LED、紫外光探測器GaN基片表面。采用化學氣相沉積或還原氧化法制備石墨烯透明導電薄膜,并利用微加工光刻、刻蝕和金屬沉積的方法制作GaN基LED、紫外光探測器;遷移石墨烯薄膜到LED或紫外光探測器的p型GaN基片上,代替ITO或Ni/Au作為透明導電電極。本發明采用石墨烯薄膜作為透明導電電極,能夠實現低成本、高亮度的發光器件,擴大了碳納米材料在GaN基光電器件領域的應用。
聲明:
“基于石墨烯的透明導電電極及其制法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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