本發明提出一種Bi2OxSe納米片,是垂直生長于基底上的納米片,納米片的厚度為10~100nm,0<x<2。本發明還提出所述Bi2OxSe納米片的制備方法和應用。本發明通過化學氣相沉積法,在基底上制備得到垂直基底生長的Bi2OxSe納米片。所述方法合成步驟簡單、成本低;制備得到的Bi2OxSe納米片結晶性好,化學穩定性好,其厚度為10~100nm,橫向尺寸為1~50μm,應用于近紅外光電探測有非常好的性能,響應度可達14.1A/W,響應時間可達2.7ms,探測率可達4.7×1011Jones。
聲明:
“Bi2OxSe納米片、其制備方法及用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)