本發明屬于半導體晶圓清洗領域,涉及一種基于超聲波?等離子體復合清洗晶圓的方法和裝置。本發明包括超聲波清洗工藝結合等離子體清洗工藝的模式,可以根據清洗環境,切換物理清洗與等離子體清洗以獲得最節約能量與最大效率的方式開展清洗,節約時間和人力成本,具有巨大經濟優勢;通過設置多次晶圓檢測步驟,可以提高碳化硅晶圓的清洗質量;通過設置等離子體清洗工藝,可以清洗碳化硅晶圓表面的化學污染物和由范德華力吸附的超細微粒污染物。
聲明:
“基于超聲波-等離子體復合清洗晶圓的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)