本發明公開了一種基于蛇形多孔硅隔熱層的MEMS真空計及制備方法,該真空計包括真空計主體和鍵合于其上方的硅帽,真空計主體包括由下到上依次設置的硅襯底、掩膜層一、絕緣介質層一和鉑金電極;硅襯底上通過電化學刻蝕方法形成蛇形多孔硅隔熱層,蛇形多孔硅隔熱層上方依次沉積有絕緣介質層一和鉑金電極,相鄰的蛇形多孔硅隔熱層之間的硅襯底上依次沉積有掩膜層二和絕緣介質層一;硅帽位于蛇形多孔硅隔熱層的上方,并與真空計主體形成檢測腔體,硅帽具有空氣微流道。本發明所公開的真空計可以解決薄膜型真空計在強烈的氣體對流中易造成薄膜損壞的問題,能夠增強真空計的魯棒性,提高在實際工作環境中的穩定性。
聲明:
“基于蛇形多孔硅隔熱層的MEMS真空計及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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