本發明屬于ESD芯片制造領域,尤其是一種低電容ESD芯片制造工藝,針對現有的ESD芯片漏電流高,電容值高問題,現提出如下方案,其包括以下步驟:S1、擴散前處理:采用N型外延襯底,通過酸、SC3#配方清洗工序,對硅片表面進行化學處理;S2、零層光刻,初氧;S3、基區光刻:正膠工藝刻出基區;S4、基區補硼;S5、硼氧化:生成薄氧;S6、正面接觸區光刻,正面蒸鋁,正面金屬光刻;S7、真空合金,中檢;S8、正面貼膜保護,背面磨片,背面蒸鈦鎳銀錫;S9、測試,本發明漏電流低,電容值低。
聲明:
“低電容ESD芯片制造工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)