本發明公開一種用于碳化硅器件的自對準方法,包括如下步驟:在晶圓上制備裸露的溝道和溝槽;在溝槽的底部和側壁以及溝道表面沉積一層第一介質層,且第一介質層的材質中含有干法刻蝕的終點檢測指示元素;在第一介質層表面沉積一層第二介質層,以覆蓋溝槽的底部和側壁以及溝道表面;在對應溝槽處的第二介質層表面覆蓋光刻膠,以填充溝槽內的空隙,使得光刻膠裸露的表面與對應溝道處的第二介質層表面齊平;采用干法刻蝕去除對應溝道處的第二介質層和第一介質層,使得溝道表面裸露;在裸露的溝道表面形成一層上表面金屬電極。所述自對準方法能夠避免在第一介質層表面沉積厚度較大的第二介質層;不受化學機械研磨方法或干法刻蝕的專門設備的限制。
聲明:
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