本發明公開了一種錐體形微池陣列立體結構電極制備方法,涉及微電極加工技術,是基于體硅加工工藝,采用硅的各向異性濕法腐蝕技術在微小硅片表面向下腐蝕出微池陣列結構,并配合響應的絕緣處理及濺射鉑/金等工藝,完成立體結構微電極的制備。所制備微池包括5-150um多種尺寸,陣列結構整齊、均勻分布在微電極表面,并有利于進一步進行納米材料修飾。本發明方法采用標準MEMS加工技術,工藝簡單、規范、實用性強,能夠有效擴大微電極表面面積,適合在電化學傳感器的微電極表面區域進行立體結構的設計和制備,并有效提高電極檢測性能。
聲明:
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