本發明公開了一種半導體性單壁碳納米管的制備方法,該方法包括以下步驟:(1)基底的處理;(2)氧化物載體的制備;(3)催化劑(前驅體)的負載;(4)由氧化物載體負載的催化劑溶液的制備;(5)半導體選擇性單壁碳納米管的化學氣相沉積生長。根據本發明的方法,能夠選擇性生長半導體性單壁碳納米管,拉曼光譜的檢測結果顯示半導體性單壁碳納米管的選擇性非常好。而且,所得碳納米管具有良好的取向選擇性,并具有良好的直徑選擇性,直徑主要分布于1.1-2.5納米之間。
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