本申請公開了一種SiC/SiO2界面結構、SiC MOS器件及其制備方法,涉及金屬氧化物半導體場效應管的制備領域。本申請的可以有效抵抗漏電流的SiC/SiO2界面結構,是通過在SiC上生長O終端的SiO2薄膜,得到具有較大導帶臺階的界面結構。經計算分析,無缺陷的O終端界面結構是可以有效抵抗漏電流的高質量界面。本申請的SiC/SiO2界面結構應用于SiC金屬氧化物半導體場效應管MOSFET器件,可以提高器件性能。本申請的SiC/SiO2界面結構可以采用化學氣相沉積技術結合硅氧化工藝進行制備,結構和操作工藝簡單,易于控制。
聲明:
“SiC/SiO2界面結構、SiCMOS器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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