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SiC/SiO2界面結構、SiCMOS器件及其制備方法

1018   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:57:11
本申請公開了一種SiC/SiO2界面結構、SiC MOS器件及其制備方法,涉及金屬氧化物半導體場效應管的制備領域。本申請的可以有效抵抗漏電流的SiC/SiO2界面結構,是通過在SiC上生長O終端的SiO2薄膜,得到具有較大導帶臺階的界面結構。經計算分析,無缺陷的O終端界面結構是可以有效抵抗漏電流的高質量界面。本申請的SiC/SiO2界面結構應用于SiC金屬氧化物半導體場效應管MOSFET器件,可以提高器件性能。本申請的SiC/SiO2界面結構可以采用化學氣相沉積技術結合硅氧化工藝進行制備,結構和操作工藝簡單,易于控制。
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