本發明為一種拉曼增強襯底的制作方法。本發明將基底(無機襯底)放入等離子體化學氣相沉積系統中的生長區域,通入含有碳元素的反應源氣體,控制反應源氣體的氣壓值為0.01Torr?760Torr;控制基底溫度在300?1200℃,開等離子體電源,設定等離子體功率為1?1000W,使反應源氣體分子裂解,活性基團在等離子體的作用下發生反應,在基底表面,生成石墨烯量子點,通過調控生長溫度和生長時間,制備不同尺寸的石墨烯量子點拉曼增強襯底。在所制備的拉曼增強襯底表面滴需要檢測分子的溶液,通過激光拉曼儀器,測得高靈敏的拉曼增強信號。本發明制備的拉曼增強襯底,無污染,靈敏度高,可大面積制備,制備步驟簡單容易實現。
聲明:
“拉曼增強襯底的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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