一種基于非晶態碳膜的加速度傳感器芯片,包括硅質敏感結構,硅質敏感結構的背面與硼玻璃鍵合,硅質敏感結構包括質量塊以及與質量塊相連的懸臂梁,在硅質敏感結構上采用物理氣相沉積或化學氣相沉積方法鍍有四個非晶碳膜電阻,其中第一非晶態碳膜電阻位于硅質敏感結構的懸臂梁上,并靠近邊框一端;第二、第三、第四非晶態碳膜電阻位于硅質敏感結構的邊框處,四個非晶碳膜電阻連接成惠斯通半橋檢測電路,并通過金屬導線和焊盤連接,由于本發明采用的非晶態碳膜電阻具有低摩擦系數、耐腐蝕,耐磨等優良特性,徹底解決傳統MEMS硅微傳感器測量靈敏度和固有頻率之間的制約關系,使傳感器兼具高固有頻率以及高測量靈敏度等特點。
聲明:
“基于非晶態碳膜的加速度傳感器芯片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)