本發明涉及分析化學材料制備技術領域,具體涉及L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法。一種L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法,將ITO導電玻璃劃成4.0cm×0.5cm的長方形,依次用稀氨水、無水乙醇、亞沸水各超聲清洗10min;采用循環伏安法沉積金銀合金納米膜。將制得的金銀合金納米膜電極浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,制得納米多孔金膜電極。將納米多孔金膜電極浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存約2h后取出,沖洗干凈并用高純氮氣吹干,即制得L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極。本發明采用電化學沉積金銀合金及去合金化法在ITO電極表面制備了納米孔金膜,電極制備方法簡單,孔膜結構及表面積可由電沉積條件調控。
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