本發明涉及技術領域,具體涉及一種原子層沉積MgZnO薄膜及其研究方法和應用,由如下組分進行反應制得:H2O、二乙基鋅Zn(CH2CH3)2(DEZn)、一路鎂源、二茂鎂Mg(C5H5)2(CP2Mg);對Hr?ZnO襯底進行生長前表面的氧輔助的離子體預處理;二乙基鋅DEZn被通入生長腔室,并在Hr?ZnO襯底表面發生自限表面化學吸附并形成Zn(CH2CH3)*表面態;隨后與通入的氧源前驅體H2O進行反應,產生ZnOH*;將反應副產物CH3CH3和余量的前驅體源清除,將鎂前軀體CP2Mg與產生的表面態ZnOH*反應得到新的表面態Mg(C5H5)*;將表面態Mg(C5H5)*與通入的前驅體H2O反應獲得MgOH*,將MgZnO薄膜表面噴Pt(3nm)處理之后通過EDS能譜分析來進行薄膜的成分的定性及定量分析,可得薄膜的組分。
聲明:
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