本發明提供了一種硼摻雜納米金剛石薄膜,可按以下方法制得:采用化學氣相沉積方法,在單晶硅襯底上制備硼摻雜納米金剛石薄膜,并將薄膜在800~1200℃下真空退火30~60分鐘,即得所述硼摻雜納米金剛石薄膜。本發明使用真空退火方法,使聚集在納米金剛石薄膜的晶界上的硼原子擴散到納米金剛石晶粒中,并使晶界上的反式聚乙炔的量大大減少,有效地提高了硼摻雜納米金剛石薄膜的p型導電性能和電化學性能。本發明對實現硼摻雜納米金剛石薄膜在納米電子器件及水處理和重金屬檢測等電化學領域的應用具有十分重要的科學意義和工程價值。
聲明:
“硼摻雜納米金剛石薄膜及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)