本發明涉及一種金納米井陣列電極及其制備方法,其包括有金納米管陣列主體、金納米柱陣列底片、集電體,所述金納米管陣列主體是在??字睆綖?00?800nm的聚碳酸酯濾膜上化學沉積金制成的,金納米管的壁厚為50?200nm;金納米柱陣列底片是在??字睆綖?0?200nm的聚碳酸酯濾膜上化學沉積金制成的;金納米柱陣列底片通過導電膠粘結固定在集電體上,金納米管陣列主體平鋪覆蓋在金納米柱陣列底片上,周邊用絕緣膠帶密封固定在集電體上,得到金納米井陣列電極。本發明組成結構簡單、合理,連接可靠、穩定,具有三維結構,表面積大,能夠實現檢測體系的微型化和集成化,有效避免不同材質導致的電化學響應信號的干擾。
聲明:
“金納米井陣列電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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