本發明屬于薄膜材料技術領域,涉及碳基薄膜材料技術領域,具體涉及一種Al納米晶摻雜四面體非晶碳導電薄膜及其制備方法和應用。本發明的Al納米晶摻雜ta?C導電薄膜為Al納米晶鑲嵌的四面體非晶碳母相結構,由Al金屬過渡層、Al梯度含量摻雜ta?C中間層和Al摻雜的ta?C層組成,薄膜中的Al摻雜含量為14.0at.%~39.6at.%;所述薄膜采用磁過濾電弧及磁控濺射復合沉積技術在金屬基底上沉積得到。本發明的Al納米晶摻雜ta?C薄膜具有高sp3碳?碳鍵含量、低殘余內應力、高化學穩定性和高導電性,可應用于燃料電池金屬雙極板、電化學有機污水處理薄膜電極和電化學重金屬離子檢測薄膜電極等領域。
聲明:
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