本發明公開了一種硅電極的再生加工方法,包括以下步驟:S1:外觀檢驗;S2:尺寸測量;S3:雙面LAPPING,在弱堿性環境下用雙面研磨機對硅電極表面損傷進行去除再生;S4:煮沸清洗,將硅電極放入加熱槽中煮沸,導入化學洗凈劑,進行洗滌,然后在純水槽中浸泡沖洗,并通入超聲波去除硅電極表面雜質;S5:化學刻蝕,在酸液中對硅電極整體刻蝕,去除表面損傷缺陷;S6:拋光處理,在堿性拋光液條件下用拋光機對硅電極非裝配表面進行拋光;S7:洗凈處理,用酸液對硅電極進行清洗;S8:最終檢測;S9:烘干包裝。采用了雙面研磨技術,能夠有效去除硅表面的使用痕跡和損傷缺陷,并對表面離子沾污進行清洗,達到表面再生,可持續使用的目的。
聲明:
“硅電極的再生加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)