在離子注入工藝中通過引入氣體而減輕污染和改變表面特性的方法和系統。一種用于離子注入工藝的污染減輕或表面改變系統,包含:氣體源(209)、控制器(204)、閥(210)以及處理室(111)。該氣體源傳送氣體給該閥,該氣體為大氣氣體或反應氣體而且受控于該控制器。該閥設置在該處理室的上或附近,并且以可控制的方式來調整被傳送至該處理室的氣體的流速和/或組成。該處理室固定目標裝置例如目標晶片,并且使該氣體與離子束反應而減輕該目標晶片的污染,和/或改變該處理環境或該目標裝置的既有性質以變更其物理或化學狀態或特性。該控制器根據存在于該離子束內的污染物、或是不存在該污染物的情形、以及總壓或分壓分析來選擇與調整該氣體的組成以及流速。
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