本發明公開了一種寬吸收光譜的硫化鉛薄膜及其制備方法。薄膜由覆于襯底上的硫化鉛晶粒組成,其中,薄膜的厚度為500?540nm,硫化鉛晶粒的粒徑為6?10nm,由粒徑6?10nm的硫化鉛晶粒組成的薄膜于450?2200nm波段呈現吸收峰;方法采用化學浴沉積法,即先將氫氧化鈉溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸鉛溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去離子水,得到反應液,之后,先將襯底置于攪拌下的70?80℃的反應液中至少2h,得到其表面置有反應物的襯底,再對其表面置有反應物的襯底進行清洗和干燥,制得目的產物。它具有較寬的波段吸收特性,極易于廣泛地商業化應用于光電探測、太陽能涂覆吸收層、氣敏檢測等領域。
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