本發明涉及一種高電活性修飾電極的制備方法及其應用。該制備方法步驟包括:首先在預先處理的玻碳電極上修飾有序介孔碳CMK?3薄膜,再修飾全氟化酞箐鈷分子層,得到高電活性修飾電極CoPcF16?CMK?3/GCE。本發明還涉及一種高電活性修飾電極在半胱氨酸檢測中的應用。有益效果:通過該方法制備的修飾電極,呈現5對氧化還原峰,表現出優異的電化學活性,制備方法簡單、牢固。本申請制備的高電化學活性電極不僅能催化巰基的氧化,還能催化其氧化產物的還原,并且對半胱氨酸和谷胱甘肽產生了電化學氧化還原差別,可用于在高濃度谷胱甘肽存在條件下選擇性識別半胱氨酸。此外,該方法實現了在較負電位范圍內半胱氨酸檢測,解決了傳統電氧化方法檢測半胱氨酸時存在多巴胺、抗壞血酸、尿酸等易氧化干擾物的影響問題。
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