本發明提出一種半導體氧化物納米顆粒修飾貴金屬納米錐陣列結構的SERS襯底的制備方法,包括:首先采用低溫電感耦合等離子體增強反應離子刻蝕技術,對硅片進行無掩膜刻蝕,獲得高密度大面積納米硅錐陣列結構;然后利用磁控濺射或熱蒸鍍在上述納米硅錐結構上包覆一層納米厚度的貴金屬膜;最后采用提拉浸漬法在上述貴金屬膜覆蓋的納米硅錐上均勻單分散負載一層ZnO納米顆粒獲得SERS襯底。本發明制備得到的ZnO納米顆粒修飾貴金屬納米錐陣列結構SERS襯底具有貴金屬的物理電磁增強效應,還耦合了半導體的電荷轉移化學增強機制,通過二者的協同效應,對于提高SERS襯底的靈敏度、增強因子、實際檢測中對痕量物質的定量分析能力具有重要意義。
聲明:
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