一種區熔定向凝固法制備磁驅動記憶合金單晶, 它是采用區熔定向凝固的方法,通過控制熔區長度、溫度梯度和晶體生長速度,制備Ni50-58Mn20-30Ga20-25合金單晶,其工藝路線是:(1)真空感應法熔煉母合金,背底真空度達到10-2-10-3Pa,然后充氬氣至0.3-0.7×103Pa;(2)真空感應爐里直接鑄棒;(3)進行區熔定向凝固,控制熔區長度在10-20毫米,凝固溫度梯度在200-1000K/cm,晶體生長速度為1-20mm/min;(4)制備出NiMnGa合金單晶;(5)用化學分析或電子探針(能譜)測定化學成分;(6)用熱分析系統測量馬氏體相變溫度,磁致伸縮測量系統測定磁驅動效應。采用區熔定向凝固的方法,有效地制備出NiMnGa合金單晶,合金沿軸向的成分偏差可控制在0.3%范圍內,馬氏體相變溫度偏差小于5℃。
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