本發明涉及一種銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法,所得載體材料適于無標記電學檢測技術的基因芯片。通過使用銻摻雜氧化錫濺射靶材,利用磁控濺射法在普通玻片上制備出銻摻雜氧化錫薄膜,然后對薄膜進行羥基化、氨基硅烷化、醛基化修飾,制得醛基修飾的基因芯片用銻摻雜氧化錫薄膜載體材料。采用本發明制備的載體材料具有表面平坦致密、厚度均勻、活性基團密度高、親水性能好、化學穩定性高、電阻率低等特性,可以實現對生物信號的高靈敏度、高可靠性和強特異性無標記電學檢測、識別與分析,非常適用于作為無標記電學檢測技術的基因芯片載體材料。本發明還具有制備工藝簡單易行,成本低廉,易于實現工業化生產的特點。
聲明:
“銻摻雜氧化錫薄膜載體材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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