本發明提供包括不含鉛的強介電材料的壓電體薄膜,即,表現出與鋯鈦酸鉛(PZT)同等水平的高壓電性能的壓電體薄膜及其制造方法,本發明的壓電體薄膜具備有(001)取向的LaNiO3膜、由有(001)取向,用化學式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x
聲明:
“壓電體薄膜及其制造方法、噴墨頭、使用噴墨頭形成圖像的方法、角速度傳感器、使用角速度傳感器測定角速度的方法、壓電發電元件以及使用了壓電發電元件的發電方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)