本發明公開一種硫化銻薄膜的制備方法,其中,制備硫化銻薄膜的原料為只經過簡單篩選的輝銻礦物。本發明利用輝銻礦物中硫化銻與其他雜質的熔點差異,結合管式退火爐鍍膜及退火一步處理,制備具有可以與以高純硫化銻(≥99.999%)作為原料所制得的薄膜相媲美的薄膜。在制備硫化銻薄膜過程中,本發明在于既可避免制備高純硫化銻原材料過程中所產生的環境污染問題,也可解決輝銻礦制備硫化銻薄膜時存在雜質和少硫的問題,且工藝流程簡單高效,大大降低制備成本,穩定可靠,應用范圍廣泛,適用于絕大部分需要鍍膜硫化銻的基底,是一種節能、高效、綠色、環保的方法。
聲明:
“硫化銻薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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