本發明屬于探測器陣列的制作工藝技術領域,具體涉及一種高占空比背照式GaN探測器陣列及其制作方法,所述制作方法包括在GaN外延片上濺射Ni/Au層;在所述Ni/Au層上采用等離子體增強化學的氣相沉淀法PECVD生長SiNx/SiO2膜;在所述SiNx/SiO2膜上涂覆光刻膠層;曝光顯影,采用接觸式曝光模式曝光探測器GaN外延片;采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕SiNx/SiO2膜;采用電磁耦合等離子體ICP方法刻蝕GaN層;采用氫氟酸去除SiNx/SiO2膜及殘余光刻膠;本發明本發明具有成本低、效率高、制作工藝簡單等優點,在制作背照式GaN探測器陣列的技術領域內有突出的技術優勢。
聲明:
“高占空比背照式GaN探測器陣列及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)