從某一側面看到的本發明的膜厚監控方法如以下那樣構成。當使用具有反應爐的CVD(化學水蒸氣沉積)裝置在上述反應爐內的基板上形成薄膜時,在上述反應爐的外部測定來自上述反應爐內的輻射光,獲得上述輻射光的輻射率的變化與形成于上述基板上的薄膜的膜厚變化的關系。當在獲得上述輻射率變化與上述膜厚變化的關系后使用上述CVD裝置在基板上形成薄膜時,測定上述輻射光的上述輻射率的變化。根據獲得的上述輻射率變化與上述膜厚變化的關系,從所測定出的上述輻射光的上述輻射率的變化,推定形成于上述反應爐內的基板上的上述薄膜的膜厚。
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我是此專利(論文)的發明人(作者)