本發明屬于光電探測相關技術領域,其公開了一種氧等離子體處理的硒氧化鉍納米片光電探測器及制備方法,所述制備方法包括以下步驟:(1)采用化學氣相沉積方法在襯底上制備硒氧化鉍納米片;(2)采用激光直寫或者電子束曝光技術,結合熱蒸發及電子束蒸發在所述硒氧化鉍納米片上制備一對源漏金屬電極;(3)對所述硒氧化鉍納米片進行氧等離子體處理,由此得到硒氧化鉍納米片光電探測器。本發明采用等離子體處理的方法,可以使得硒氧化鉍納米片的初始暗態電流下降,可以增大器件的光響應,且制備方法工藝簡單,操作容易,成本較低,有望應用于大規模改善硒氧化鉍納米片光電探測器的性能,為硒氧化鉍在光電探測器的應用奠定了基礎。
聲明:
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