本發明是提供一種形成半導體元件及半導體影像感測器的方法,具體為改善介電層平坦度與均勻度以增強電荷耦合裝置與互補式金屬氧化物半導體影像感測器元件中光學效能的方法與系統。所述用以達到較佳光學效能的介電層平坦化方法是包含下列步驟。于多個金屬圖形之上及其周圍沉積一具有透光性的第一介電層,形成光學感測器于這些金屬圖形之間的基底內或其上,其中金屬圖形可防止位于其間或其下的感測器遭受電磁輻射的影響。之后以化學機械研磨制程研磨第一介電層而制得一傾斜表面,再進一步以平坦化制程消除此不均勻表面,最終得到一全面性均勻的介電層厚度以利感測器適當地運作。
聲明:
“形成半導體元件及半導體影像感測器的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)