本發明公開了一種鉍?氧化錫深紫外光探測器及其制備方法。探測器的鉍摻雜氧化錫薄膜的化學式組成為BixSn1?xO2,化學式中的0.04≤x≤0.3,其中,薄膜中鉍的價態為Bi+3和Bi+5的比例為45?55%:45?55%,薄膜的厚度為80?200nm,其上置有電極;方法為先將鉍錫混合靶和襯底分別置于磁控濺射設備真空室內的陰極上和樣品臺中,再使真空室處于氬?氧混合氣氛中,于450?700℃下濺射30?90min,得到覆于襯底上的鉍摻雜氧化錫薄膜,之后,先于其上安裝電極,再將安裝有電極的鉍摻雜氧化錫薄膜與襯底剝離,制得目的產物。它具有低暗電流下的窄紫外波段響應的高量子效率和高探測率,極易于商業化地廣泛應用于火焰報警、電暈檢測、日盲區預警等弱紫外光探測領域。
聲明:
“鉍?氧化錫深紫外光探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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