本發明公開一種p?GaN/i?GaN/n?BN中子探測器,該中子探測器由Al2O3襯底層、n?BN層、i?GaN層、p?GaN層組成。其制備方法如下:在一定厚度的Al2O3襯底上,利用金屬有機物化學氣相沉積技術先生長n?BN,而后生長未摻雜的i?GaN,最后生長p?GaN,再用感應耦合等離子體刻蝕出n?BN,最后用電子束蒸發在n?BN和p?GaN層分別蒸鍍歐姆接觸金屬電極,完成中子探測器的制作。本發明制備工藝簡單、無需單獨制備中子轉換層,能量分辨率高、探測效率高且結構簡單,在航空航天探索、核能利用與開發、放射性同位素的產生應用以及一些特殊領域有重要的應用價值。
聲明:
“p GaNi GaN n BN中子探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)