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p GaNi GaN n BN中子探測器

998   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:24:12
本發明公開一種p?GaN/i?GaN/n?BN中子探測器,該中子探測器由Al2O3襯底層、n?BN層、i?GaN層、p?GaN層組成。其制備方法如下:在一定厚度的Al2O3襯底上,利用金屬有機物化學氣相沉積技術先生長n?BN,而后生長未摻雜的i?GaN,最后生長p?GaN,再用感應耦合等離子體刻蝕出n?BN,最后用電子束蒸發在n?BN和p?GaN層分別蒸鍍歐姆接觸金屬電極,完成中子探測器的制作。本發明制備工藝簡單、無需單獨制備中子轉換層,能量分辨率高、探測效率高且結構簡單,在航空航天探索、核能利用與開發、放射性同位素的產生應用以及一些特殊領域有重要的應用價值。
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