本發明提供了一種基于六方氮化硼納米片的二氧化氮檢測用氣敏元件及其制備方法和應用,屬于半導體材料技術領域。本發明以六方氮化硼納米片作為氣敏材料,利用六方氮化硼納米片高導熱率、低熱膨脹系數、低介電常數、高化學穩定性、強高溫抗氧化性和高比表面積的性質,以其制備的二氧化氮檢測用氣敏元件,除具有靈敏度高、選擇性好、重復性佳的優點,還適合在高溫條件下工作。實施例結果表明,本發明提供的氣敏元件用于二氧化氮檢測時,其響應時間為18s,恢復時間為13.5s,最佳工作溫度為425℃。同時,本發明提供的制備方法操作簡單,成本低廉,易于實現工業化生產。
聲明:
“基于六方氮化硼納米片的二氧化氮檢測用氣敏元件及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)