本發明公開了一種用于重金屬離子檢測的碳納米線微陣列電極制備方法,其特征在于所述的方法基于MEMS工藝的負性光刻膠碳化工藝,基于因幾何結構限制引起負性光刻膠刻蝕速率分布不同的現象,通過控制顯影時間來控制亞微米級光刻膠絲線陣列的形成,然后置于N2(95%)+H2(5%)保護下,經高溫熱解形成碳納米線陣列。本發明結合MEMS工藝,在碳表面制作納米尺寸結構,增大電極比表面積,同時結合微陣列電極的優勢,提高重金屬離子檢測的靈敏度、縮短檢測時間。本發明可廣泛應用于電化學分析各個領域、特別適合于地表水、污水、飲料中的溶出伏安法測定重金屬離子。
聲明:
“用于重金屬離子檢測的碳納米線微陣列電極制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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