本發明是關于一種化學氣相沉積的晶片及薄膜溫度的控制系統及其方法。該系統包括:承載盤繞著中心軸旋轉,該承載盤包含多個晶片承載器分別承載晶片并進行自轉。工藝氣體靠近該晶片的第一表面經加熱反應形成薄膜沉積在該第一表面上。均熱板設置于相對該晶片第一表面的第二表面。一個或多個溫度測量器用于獲得該均熱板相對于該晶片的反面溫度。以該反面溫度推測該晶片的晶片端溫度。本發明可避免晶片端溫度的測量受到工藝的干擾。
聲明:
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