本發明涉及提高電化學晶體管傳感器的抗干擾性能的方法,所述電化學晶體管傳感器包括源極、漏極和柵極,源極、漏極之間為該電化學晶體管傳感器溝道,其特征在于在溝道上設有Nafion薄膜保護層和/或聚糖薄膜保護層,或者在柵極外面套設下端帶有微孔陶瓷的砂芯玻璃管,將溝道或柵極分離以屏蔽電化學晶體管傳感器對干擾物質的響應。本發明涉及的電化學晶體管傳感器的優化方法具有在不影響器件對待測物質的響應的同時屏蔽掉干擾物質的響應的特點。
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