一種用于提供CMP系統中的制程控制的系統和方法,其使用用于修整晶片研磨墊的真空輔助設備,從而來自修整制程的流出物(即晶片碎屑、研磨漿、化學或其它副產物)從廢流中轉移開,而引入分析模塊,進行進一步的處理。所述分析模塊用于確定所述流出物內的至少一個參數,且基于分析來產生制程控制信號。所述制程控制信號然后反饋到平面化制程,以允許多種參數例如研磨漿的成分、溫度、流速等的控制。所述控制信號還可用于控制制程和/或確定所述平面化制程自身的終點。
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“使用原位修整制程的化學機械平面化制程控制” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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